硅晶圓切割定位線道是怎麼樣的

1. 晶圓切割機進口報關流程是怎樣的

需要准備相應進抄口設備清關的資料：裝箱單、發票、 合同；正本提單或電放提單+ 電放保函；報關委託書，報檢委託書；海關、商檢十位代碼；報關單、設備的申報要素（工藝，功能，技術參數等等）
貨物到到港後——換單——報檢——報關——出稅（交稅）——查驗（隨機產生）——放行——動衛檢——送貨

2. 晶元內的矽片到底是怎樣做的

如果問及CPU的原料是什麼，大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？

除去硅之外，製造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS（北木暴畢綜合症）的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了CPU的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。

除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。

CPU製造的准備階段

在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的製造過程。
在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接 決定了成品CPU的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝（互補型金屬氧化物半導體）。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。

准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。

光刻蝕

這是目前的CPU製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕， 由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。

當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

摻雜

在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導體），多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，每個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。
重復這一過程
從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異
接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。

而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導致絕大多數的CPU癱瘓），那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。

在CPU的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。

我們希望這篇文章能夠為一些對於CPU製作過程感興趣的人解答一些疑問。畢竟作者水平有限，不可能以專業的水平把製作過程完全展示給您，如果您有興趣繼續鑽研，建議您去閱讀一些有關集成電路製造的高級教材

3. 切割矽片的切割工作對人體有害嗎

切割廢抄屑主要是Si屑．

粗製矽片切割襲，就是將硅錠切割成矽片，目前基本採用線切割法，添加SiC切割液，Si和SiC本

身均無毒,但一般硅錠中會摻雜P,B,As等元素以得到需要的矽片,因而切割廢液,廢屑等具一定毒性,但毒

性極低,因為雜質含量是非常非常低的．

工藝製作完成的IC矽片（晶圓）的切割，或太陽能晶圓的切割，由於矽片切割道內有一些用

Cu, Ti, Ni, Co等製作的圖形，矽片本身也經過P,B,As等摻雜，所以切割廢屑有一定的毒性，但有毒

成份含量是ppm微量級的．另外，晶圓切割時，有可能添加切割液，所以必須看看切割液是否有毒

（一般情況下是無毒的）．

需要做好勞動保護

4. 矽片為什麼要切去一邊，切出來的邊叫啥

確定晶向，切斷面粘接碳棒或者玻璃，安裝於設備固定。
簡單來說就是確定晶向，以利於將來切割，設計圖形時要考慮這一點，再要問深入一點，就要看看書了。
三極體一般用111面，MOS一般110面
這樣做的原因是跟摻雜、腐蝕等後期製作有關，而且，不同晶向的外層電子的活躍性不一樣，勢能也不一樣。
其實早期的矽片並不切邊,但隨著微電子業發展開始切邊,原因如下:) W2 i: J; `& n$ W% L* M1 s
1, 微電子器件在晶圓上可以做n多個,需切割下來,而單晶硅生長是有晶向要求的,切割沿某一方向好切不亂裂,就是專業上稱的解理面.切邊就告訴您解理方向.
2, 矽片分N型和P型,有規范的切邊還告知您它是n型電特性還是p型電特性,, u$ J2 z/ h" \9 ~- O
3, 現在微電子生產己經自動化,例如光刻的曝光若沒有切邊定位,那麼掩膜版與晶片圖型會相差180度或某種不定位置,生產效率會很低...,
4, 矽片的用途很多,除了n/p還要有晶向,例如做mems要求腐蝕各向異性會用到<110>等晶向,而mos產品為減小表面態影響要求用<100>晶向...
總之,晶圓的主對准邊和副對准邊的標准組合會告訴用片人它是什麼導電類型和晶向,是個身份標識
希望對你有幫助，望採納

5. 什麼是晶矽片切割刃料

晶矽片切割刃料是指切割機的刀口材料為晶矽片。主要應用於太陽能晶矽片和半回導體晶圓片的切割，答是目前矽片線切割的三大耗材之一。在線切割過程中，將切削液（通常是聚乙二醇） 與切割刃料混配的砂噴落在細鋼線組成的線網上，通過細鋼線高速運動，使砂漿中的切割刃料與緊壓在線網上的硅棒或硅錠表面高速磨削，由於切割刃料顆粒有非常銳利的稜角，並且硬度遠大於硅棒或硅錠的硬度，所以硅棒或硅錠與鋼線接觸的區域逐漸被切割刃料顆粒磨削掉，進而達到切割的目的。

6. 英特爾總裁手上拿的硅晶圓是干什麼用的

很簡單，就是抄切割晶元用襲的~~我們所看到的CPU是封裝好的~~那種元芯是看不到的~~我們用的CPU就是用那種大大的硅晶圓切割成一個個的小塊然後封裝成的
切割好以後，inter會去專門檢測切除後每個小元芯的實際效果~~然後根據他們本身的素質去給CPU設置官方出廠的主頻 一般來說 越靠近硅晶圓內側的切出來的CPU素質越好！！~~

7. 矽片切割過程中回有毒嗎

切割廢屑主要是Si屑．
粗製矽片切割，就是將硅錠切割成矽片，目前基本采專用線切割屬法，添加SiC切割液，Si和SiC本身均無毒,但一般硅錠中會摻雜P,B,As等元素以得到需要的矽片,因而切割廢液,廢屑等具一定毒性,但毒性極低,因為雜質含量是非常非常低的．
工藝製作完成的IC矽片（晶圓）的切割，或太陽能晶圓的切割，由於矽片切割道內有一些用Cu,
Ti,
Ni,
Co等製作的圖形，矽片本身也經過P,B,As等摻雜，所以切割廢屑有一定的毒性，但有毒成份含量是ppm微量級的．另外，晶圓切割時，有可能添加切割液，所以必須看看切割液是否有毒（一般情況下是無毒的）．

8. 半導體硅晶圓片和硅拋光片有什麼區別一般Wafer指什麼

硅晶圓片是正式的晶元材料，依製造過程入料並形成內部線路，就是有功能可出售的芯圓，一專般稱為wafer的即屬是指這種圓片;

硅拋光片一般是製造過程中的"假片"又叫mmy 或mmy wafer,是為了設備運行和保護晶圓片而重復使用，屬於生產輔料，萬萬不可混料出貨;

也有另一個叫拋光的是後工程專業名詞，為晶圓片封裝切割前必須在反面磨薄拋光，也會叫拋光片;

9. 切割矽片的切割工作對人體有害嗎

切割復廢屑主要是Si屑．制

粗製矽片切割，就是將硅錠切割成矽片，目前基本採用線切割法，添加SiC切割液，Si和SiC本身均無毒,但一般硅錠中會摻雜P,B,As等元素以得到需要的矽片,因而切割廢液,廢屑等具一定毒性,但毒性極低,因為雜質含量是非常非常低的．

工藝製作完成的IC矽片（晶圓）的切割，或太陽能晶圓的切割，由於矽片切割道內有一些用Cu, Ti, Ni, Co等製作的圖形，矽片本身也經過P,B,As等摻雜，所以切割廢屑有一定的毒性，但有毒成份含量是ppm微量級的．另外，晶圓切割時，有可能添加切割液，所以必須看看切割液是否有毒（一般情況下是無毒的）．

需要做好勞動保護

10. 晶圓是如何切割成片的

用晶圓切割機切割，用水來切割的