外延片如何加工成晶元
① 晶元的外延是什麼意思，和封裝以及襯底有什麼區別
半導體發光二極體有外延片、晶元、器件及應用產品，從產業鏈角度看有襯底製作、外延、晶元、器件封裝、應用產品製作，襯底是基底，在襯底生長製作外延片，由外延片經晶元製作工藝產生晶元，再由晶元封裝製作成器件，在由器件封裝成應用產品。襯底製作和外延製作是產業鏈最上游，技術含量較高;晶元製作為產業鏈中游;器件及應用產品製作為產業鏈下游，技術含量較低。
② 晶元的外延是什麼意思，和封裝以及襯底有什麼區別
半導體發光二極體有外延片、晶元、器件及應用產品，從產業鏈角度看有襯底製作、外延、晶元、器件封裝、應用產品製作，襯底是基底，在襯底生長製作外延片，由外延片經晶元製作工藝產生晶元，再由晶元封裝製作成器件，在由器件封裝成應用產品。襯底製作和外延製作是產業鏈最上游，技術含量較高；晶元製作為產業鏈中游；器件及應用產品製作為產業鏈下游，技術含量較低。
③ 外延片與晶元區別
外延片與晶元區別為：性質不同、目的不同、用途不同。
一、性質不同內
1、外延片：外延片指的是在容一塊加熱至適當溫度的襯底基片上，所生長出來的特定單晶薄膜。
2、晶元：晶元是一種固態的半導體器件。整個晶元被環氧樹脂封裝起來。
二、目的不同
1、外延片：外延片的目的是在外延上加上電極，便於對產品進行封存和包裝。
2、晶元：晶元的目的是將電能轉化成光能，供照明使用。
三、用途不同
1、外延片：外延片是LED晶元的中段製程和後段製程的必需品，沒有它就無法做出高亮度的半導體。
2、晶元：晶元是製作LED燈具、LED屏幕、LED背光的主要物料。
④ LED外延片和晶元組裝工藝流程
你找不到的，因為全球就沒幾家會做這個的。哈哈
⑤ LED襯底、外延片、晶元到底怎麼區分求祥解
1.襯底是指藍寶石晶棒或者是硅經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。
2.外延片是指經過MOCVD加工的片子。
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。
具體流程是襯底 - 結構設計 - 緩沖層生長 - N型GaN層生長 - 多量子阱發光層生 - P型GaN層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、X射線） - 外延片
晶元則是最後的工藝，在外延片上進一步加工的來的。
具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平台圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶元→成品測試。
⑥ 拋光、外延片生產流程 回答的好 可以加倍給分
生產工藝流程具體介紹如下：
固定：將單晶硅棒固定在加工台上。
切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄矽片。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
退火：雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃後，用紅外加熱至300~500℃，矽片表面和氧氣發生反應，使矽片表面形成二氧化硅保護層。
倒角：將退火的矽片進行修整成圓弧形，防止矽片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉採用水淋，產生廢水和硅渣。
分檔檢測：為保證矽片的規格和質量，對其進行檢測。此處會產生廢品。
研磨：用磨片劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
清洗：通過有機溶劑的溶解作用，結合超聲波清洗技術去除矽片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
RCA清洗：通過多道清洗去除矽片表面的顆粒物質和金屬離子。具體工藝流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很強的氧化能力，可將金屬氧化後溶於清洗液，並將有機污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗矽片可去除矽片表面的有機污物和部分金屬。此工序會產生硫酸霧和廢硫酸。
DHF清洗：用一定濃度的氫氟酸去除矽片表面的自然氧化膜，而附著在自然氧化膜上的金屬也被溶解到清洗液中，同時DHF抑制了氧化膜的形成。此過程產生氟化氫和廢氫氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液組成，矽片表面由於H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕後立即又發生氧化，氧化和腐蝕反復進行，因此附著在矽片表面的顆粒和金屬也隨腐蝕層而落入清洗液內。此處產生氨氣和廢氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例組成的HPM，用於去除硅表面的鈉、鐵、鎂和鋅等金屬污染物。此工序產生氯化氫和廢鹽酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面產生的氧化膜。
磨片檢測：檢測經過研磨、RCA清洗後的矽片的質量，不符合要求的則從新進行研磨和RCA清洗。
腐蝕A/B：經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。腐蝕A是酸性腐蝕，用混酸溶液去除損傷層，產生氟化氫、NOX和廢混酸；腐蝕B是鹼性腐蝕，用氫氧化鈉溶液去除損傷層，產生廢鹼液。本項目一部分矽片採用腐蝕A，一部分採用腐蝕B。
分檔監測：對矽片進行損傷檢測，存在損傷的矽片重新進行腐蝕。
粗拋光：使用一次研磨劑去除損傷層，一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。
精拋光：使用精磨劑改善矽片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，從而的到高平坦度矽片。產生精拋廢液。
檢測：檢查矽片是否符合要求，如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。
檢測：查看矽片表面是否清潔，表面如不清潔則從新刷洗，直至清潔。
包裝：將單晶硅拋光片進行包裝。
⑦ LED外延片與晶元
第一有的廠家外延片和晶元都做，有的廠家只做其中之一。
LED外延片生長的基本原理是：在一塊加 LED外延片熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上，氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
外延片做好後，中游晶元廠家就會拿來長電極，然後切割，測試
下游封裝廠就拿晶元廠做的LED晶元去做封裝。
⑧ 外延片以及LED晶元工藝問題
1.外延片指的是在襯底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三個部分構成。現在主流的外延材料是氮化鎵(GaN),襯底材料主要有藍寶石，硅，碳化硅三種，量子阱一般為5個，通常用的生產工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD)。這是LED產業的核心部分，需要較高的技術以及較大的資金投入(一台MOCVD一般要好幾千萬)。
2.外延片的檢測一般分為兩大類:
一是光學性能檢測，主要參數包括工作電壓，光強，波長范圍，半峰寬，色溫，顯色指數等等，這些數據可以用積分球測試。
二是可靠性檢測，主要參數包括光衰，漏電，反壓，抗靜電，I-V曲線等等，這些數據一般通過老化進行測試。
3.需要指出的是，並沒有白光LED晶元，只有白光LED燈珠/管，即需要進行封裝才能獲得白光小LED燈，也叫燈珠，管子。
白光LED一般通過兩種途徑獲得：
一是通過配光，將紅綠藍三色晶元進行配比封裝獲得白光LED.
二是通過熒光粉轉換藍光LED，從而獲得白光LED.
本人正從事相關行業，無關技術機密的東西都可以說一下。
⑨ LED外延片和晶元一樣嗎
外延片和晶元不一樣。
外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導版體薄膜，以GaN為例，在藍權寶石(Al2O3)上生長一層結構復雜的GaN薄膜（包括n-GaN,量子阱,n-GaN等），這層薄膜就叫做外延。
而晶元指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶元的主要材料為單晶硅不正確，仍為GaN材料。可以說外延是晶元的原材料，晶元就是在外延的基礎上增加了電極（有的晶元還做鈍化膜，反射鏡等等）。