什麼是微納加工

Ⅰ 我們是小的設計公司想做一些MEMS委託加工，請問國內比較好的微納加工平台都有哪些大公司入場費太貴了

看你的加工量了，如果加工量比較大的話直接找代工廠，加工量比較小的話可以去蘇州納米所看看，那邊有個公共微納加工平台，主要是做工藝研發、還有中小批量微納加工的吧。

Ⅱ 現在高分子材料專業前景好，還是微納製造專

納米材料，將來會有更好的發展前景

Ⅲ 電子束和離子束分別可用於哪些微納加工工藝

電子束離子束加工的發展趨勢及應用聚焦的離子束在半導體行業有著重要作用，可用來切割納米級結構，對光刻技術中的屏蔽板進行修補，分離和分析集成電路的各個元件，激活由特殊原子組成的材料，使其具有導電性等等。聚焦的離子束在其他方面也有應用。可用來分析樣品化學成分、進行生物研究以及製造保持血管暢通的心臟固定膜等微型醫學植入材料。但是，在用帶正電荷的離子束對絕緣材料進行成像或進行縮微處理時，常常會出現麻煩，絕緣材料會逐漸帶上正電荷，從而會排斥帶同性電荷的離子束，使聚焦的離子束發散，影響精度。科學界解決這一問題的傳統方法有兩個：一個是在離子束到達非金屬絕緣體之前，通過一種氣化元件進行中和；另一種方法是在絕緣材料上設置一電子束中和這個帶正電的離子束。但是這兩種方法都有其弊端，第一種方法往往要求加大離子束加速器和絕緣材料之間的距離，而距離太長會干擾離子束的聚焦。第二種方法中，產生額外的電子束需要另一電子加速器，而且要求與離子束隨時保持在同一直線上，對於多束離子同時作用一種材料，很難實現這些要求。而美國科學家對其實驗室發明的多離子束系統進行改進後，得到了中和正離子的全新方法。與傳統聚焦離子束裝置中的液化金屬離子不同，這一新系統使用兩個離子束腔，將氣態分子中的電子和正離子分離。通過三條電極組成的電極棒將兩個腔隔開，一個腔只允許電子通過，另一個腔只許正離子通過。這樣的設計，不但可以形成加速的離子束，而且也不會阻止電子束的通過，最後離子束達到目標材料後，離子和電子會自我中和形成先前的氣態原子，也不會導致目標材料帶電。利用這種裝置可以對各種離子進行加速，包括惰性氣體、錳等金屬甚至碳60這樣的分子團，都可以用來形成離子束。另外，科研人員還利用多孔屏蔽板，獲得圓洞形、線性和弧形等不同形狀的離子束，發射一次離子束可以生產幾千個心臟內膜，大大提高了效率。離子束刻蝕離子束刻蝕以離子束為刻飾手段達到刻飾目的的技術，其解析度限制於粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束最小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構最小可能不會小於10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，最少的達到10nm，獲得最小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應較小，並能以較快的直寫速度進行小於50nm的刻飾，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接製造各種納米器件結構。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。束流強度達幾十萬以至上百萬安培的束流。它比通常加速器的束流密度高幾萬倍以至幾十萬倍。20世紀60年代初期,由於模擬核爆炸條件下γ射線輻照效應和X射線照相的需要，強流脈沖電子束加速器得到了迅速發展，70年代後，由於粒子束慣性約束聚變、電子束抽運氣體激光器、電子束產生高功率微波等研究工作的要求，研製了低電壓大電流的電子束加速器，並在這些技術的基礎上獲得了強流脈沖離子束。1984年已能產生1MeV、1MA的輕離子束，強流脈沖電子束也達到了如下的技術水平：電子能量0.3MeV～12MeV電子束流10kA～5MA脈沖寬度10ns～100ns總束能1kJ～5MJ功率1011W～3×1013W這些束流之特點是束流能量大、功率高、電流大、時間寬度窄。這種基於物理學和電工學相結合的高功率脈沖技術是一門新的前沿科學技術，近年來發展極為迅速，已成為研究高溫高壓等離子體物理的重要工具，它在經濟和軍事應用方面有著廣闊的前景。強流脈沖電子束的產生強流脈沖電子束加速器主要由三個部分組成，即沖擊電壓發生器、脈沖成形線與脈沖傳輸線和場致發射二極體。從沖擊電壓發生器輸出的微秒級上升時間的高壓脈沖經脈沖成形線成形為幾十納（10-9)秒上升時間的高壓脈沖，並由傳輸線輸運至場致發射二極體，二極體起著將電磁能轉變為電子束的能量的作用。沖擊電壓發生器見脈沖倍壓發生器之圖2。沖擊電壓發生器的工作原理是對電容器組並聯充電串聯放電，獲得脈沖高壓輸出，減小沖擊電壓發生器電感，可縮短輸出高壓脈沖的上升時間。電容器的排列有Z型、S型和混合型等，採取正、負充電線路，可使火花球隙數目減少一倍。LC反轉沖擊電壓發生器的電感小，輸出脈沖上升時間短，但當所有球隙不能在同一時間內擊穿時，過電壓會把電容器擊穿。脈沖成形線和脈沖傳輸線如圖1所示。沖擊電壓發生器輸出的電壓脈沖，對脈沖成形線充電，當電壓充至一定值時主開關接通，成形線中開始了波過程,經過時間在成形線末端產生時間寬度為的高壓脈沖加在場致發射二極體上。L為成形線長度,с為光速,ε為成形線介質的介電常數，也可以通過變阻抗傳輸線加到二極體上，以達到升壓或降壓的目的。脈沖成形線和脈沖傳輸線中充以去離子水或變壓器油，對於亞微秒充電時間的高壓脈沖，水是很好的絕緣介質，水的儲能密度大、價廉，發生電擊穿後能很快恢復不留痕跡。可根據T.H.馬丁的經驗公式來考慮脈沖成形線和脈沖傳輸線的絕緣要求。強流電子束二極體陰極表面細微的針尖狀結構，使場強增大約100倍，趨於108V/cm，由此引起的電流的增強造成陰極上微小尖端的蒸發，蒸發物的電離形成陰極等離子體，並從中發射電流，陰極等離子體的前沿以1～4×104m/s的速度向陽極運動，隨著束流的增強，在陽極上吸附的氣體釋放出來並被電離，形成陽極等離子體，它以約1×104m/s的速度向陰極運動。描述二極體中電子束流特性的一個重要物理量是v/γ值，v是單位長度上電子數目乘電子經典半徑，，，IA稱為阿爾文電流。低v/γ值二極體阻抗可由蔡爾德－朗繆爾公式描述，平行板二極體阻抗為式中V以兆伏為單位,R是二極體半徑，d是陰陽極間隙距離，以厘米為單位，μ是陰極等離子體運動速度，以厘米／秒為單位，Z以歐姆為單位，K(V)是隨著V而增長的函數，對於非相對論性束流K(V)＝136。當二極體中電流超過了臨界電流值時，電子軌跡開始箍縮，這時電子的拉莫爾半徑等於電子束半徑的一半，並等於陰陽極之間的間距。在高v/γ值的二極體中，當達到臨界電流值時，束流開始箍縮，實驗觀察到箍縮主要在脈沖的後一段時間內形成，並以(1～5)×106m/s的徑向崩塌速度進行，它比等離子體膨脹速率大一個半到二個數量級，這是由於陽極等離子體中的正離子向陰極運動，改變了空間電荷分布，增大了二極體電流，從而使箍縮進一步發展。箍縮發生後，二極體阻抗大致和"順位流模型"的計算值相符。箍縮的結果使電子向二極體的軸線方向移動。由於空間電荷的堆積，造成陰極中心部分軸向電場的減小，從而降低了陰極中心區域的電子發射，過剩的空間電荷使得等位面分布接近錐形。電子沿錐形等位面運動。等位面的法線方向和磁場方向垂直。因而向外的電場力和向內的自磁場力方向相反。空間電荷堆積一直繼續到作用在電子上的凈力為零。於是從陰極邊界處發出的電子沿等位面作凈力為零的運動。按順位流模型可得進一步考慮陰極和陽極表面上存在的等離子體對箍縮所起的作用，建立了聚焦流模型，按照該模型聚焦束流為強流離子束的產生在雙極性流的情況下，質子流和電子流密度滿足方程式中x是陰陽極之間距離，V是陰陽極間隙上的電壓，εo是空氣介電常數，e是電子電荷,mp是質子質量。電子流密度約為質子流密度的43倍，強流離子二極體的工作原理是利用電場或磁場抑制電子到達陽極，使二極體的能量大部分為離子所帶走，現有的離子二極體有三種類型：反射型二極體從陰極射出的電子穿過薄陽極靶後，遇到一個反向電場，使電子減速並回轉，重新穿過陽極靶，然後陰陽極之間的電場又將電子拉向陽極。若靶上塗以某種有機物,由於電子來回穿過陽極靶,在靶上產生離子並向陰極運動（圖2）。反射型二極體產生離子效率可達50％，實際上不需要第二個陰極，從陽極穿出的電子的堆積，形成虛陰極。離子流密度和電子流密度之比為式中Zm是離子的電荷,Mp是離子質量，〈Δθ2〉是散射角的均方值,散射角近似反比於二極體電壓的二次方,離子流密度和二極體電壓的關系可用7/2次方來描述。磁絕緣二極體。外加一個大於臨界磁場Bcr的橫向磁場,偏轉電子，使它不能到達陽極。

Ⅳ 微納製造怎麼樣

作者好像是機械出身的。前面介紹了一些基本的半導體工業的微納製造技術，中間怎麼大篇幅的講起grinding了。按說現在國際上對微納製造的定義還是多數傾向於半導體製造為基礎的工藝吧，機械的，桌面機床的這套不能說不算微納製造，起碼不是主流工藝。看了一半，放棄了，太浪費時間。

Ⅳ 你好，今年攻讀機械工程研究生，一名導師研究超快激光微納加工的，我想問一下這個前景如何

中南大學機械工程碩士研究生，一般考330-340以上，機電院初試上線沒問題，有時候內神經刀310到325，不濟可以調容劑到輕合金研究院（看考研大小年），培養都一樣的，機電院復試筆試有難度，英語面試和專業面試老師都很好，如果本科成績不是太好，建議讀專碩，比較保險，容易點，就是學費貴點，但是待遇都差不多，都是三年，且找工作和讀博其實都不影響，畢業條件可能還容易點，看導師和課題組吧（本人2015年考過中南大學的機械工程碩士研究生，復試沒過，現在申請考核制考上了中南大學的博士，好事多磨啊OTZ）

Ⅵ 什麼是超精密加工，什麼是微納製造

納米製作還不好說，但是0.01um超精處理是可以實現的，比如人工關節的處理。

Ⅶ 微納加工一般會發表在什麼期刊上怎麼搜集微納加工文獻較好。

你好，能夠微納加工方面的期刊比較多，比如：
《物理》，中國科學院主管，中國回科學院物答理研究所、中國物理學會主辦的月刊，14版北大核心，CA、SA等資料庫收錄；
《微納電子技術》中國電子科技集團公司主管，中國電子科技集團公司第十三研究所主辦的月刊，14版北大核心，CA等資料庫收錄；

在中國知網的檢索框前「全文」菜單下拉，找到「主題」點擊，然後在後面的檢索框中輸入「微納加工」後檢索就會出現相關的學術論文了，然後在裡面找你想要的文獻進行下載就好，而且每篇文獻後面的「來源」都顯示的是文獻相應的收錄情況，在其中找到期刊點擊進去就能夠了解這邊期刊的情況

Ⅷ 有人知道「激光微納製造」這一方向就業前景嗎

這個方向的就業形勢不錯 ，主要是光學儀器、光伏器件等類型公司

Ⅸ 什麼是微納光學

利用微結構材來料（micro-structure materials）作為光學元自件的光學分支。

隨著生長技術、精密加工技術的進步，其微結構的尺度已經下降的納米量級，比如光學超晶格、級聯量子阱等技術，微結構的尺寸往往在幾十、幾百納米量級，因此將包含微米、亞微米量級的精細結構的材料統稱為微納材料 （micro / nano-structure） ，包含許許多多新的光學特性，這些「新」的光學規律是宏觀上無法體現的。

近年來的表面等離基元、光學超晶格、集成光學、近場光學等進展，使得微納光學在納米尺度上有了更多的方向和應用，還有些負折射材料、突破衍射極限光學、光鑷等等近年來最熱門的研究，籠統地都屬於微納光學。