達林頓管三個口怎麼焊接

Ⅰ 請問下面這個電路的工作原理，如何通過一個達林頓管實現電壓從15V調到10V

你的達林頓構成還是個NPN的，那麼，想要電路工作，就需要把電源反接過來才行；

Ⅱ 這個達林頓管的示意圖中四個二極體分別是幹嘛用的幫忙分析下

ULN2803是八達林頓管陣列，那個COMMON是公共控制端，實線二極體與達林頓管構成＂與＂的關系，任何一個導通都使OUTPUT端為低電平。
其他三個二極體提供反向電壓通道，起保護作用。

Ⅲ 怎樣判斷三極體實物圖的三個接線點

用指針式萬用表判斷基極 b 和三極體的類型：將萬用表歐姆擋置 「R × 100」 或「R×lk」 處，先假設三極體的某極為「基極」，並把黑表筆接在假設的基極上，將紅表筆先後接在其餘兩個極上，如果兩次測得的電阻值都很小（或約為幾百歐至幾千歐 ），則假設的基極是正確的。

且被測三極體為 NPN 型管；同上，如果兩次測得的電阻值都很大（ 約為幾千歐至幾十千歐 ）， 則假設的基極是正確的，且被測三極體為 PNP 型管。如果兩次測得的電阻值是一大一小，則原來假設的基極是錯誤的，這時必須重新假設另一電極為「基極」，再重復上述測試。

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三極體的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。在實際使用中常常通過電阻將三極體的電流放大作用轉變為電壓放大作用。

晶體三極體按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體。

N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的

Ⅳ 如何焊電容和吹三極體啊

關於封裝 電阻AXIAL 無極性電容 RAD 電解電容 RB- 電位器 VR 二極體 DIODE 三極體 TO 電源穩壓塊78和79系列 TO－126H和TO-126V 場效應管 和三極體一樣 整流橋 D－44 D－37 D－46 單排多針插座 CON SIP 雙列直插元件 DIP 晶振XTAL1 電阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封裝屬性為axial系列 無極性電容：cap;封裝屬性為RAD-0.1到rad-0.4 電解電容：electroi;封裝屬性為rb.2/.4到rb.5/1.0 電位器：pot1,pot2；封裝屬性為vr-1到vr-5 二極體：封裝屬性為diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三極體：常見的封裝屬性為to-18（普通三極體）to-22(大功率三極體）to-3(大功率達林頓管） 電源穩壓塊有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常見的封裝屬性有to126h和to126v 整流橋：BRIDGE1,BRIDGE2: 封裝屬性為D系列（D-44，D-37，D-46） 電阻： AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指電阻的長度，一般用AXIAL0.4 瓷片電容：RAD0.1-RAD0.3。 其中0.1-0.3指電容大小，一般用RAD0.1 電解電容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指電容大小。一般<100uF用B.1/.2,100uF-470uF用B.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二極體： DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二極體長短，一般用DIODE0.4 發光二極體：RB.1/.2 集成塊： DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少腳，８腳的就是DIP8 貼片電阻 0603表示的是封裝尺寸 與具體阻值沒有關系 但封裝尺寸與功率有關 通常來說 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 電容電阻外形尺寸與封裝的對應關系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 關於零件封裝，LIB庫中的元件外，其它庫的元件都已經有了固定的元件封裝，這是因為這個庫中的元件都有多種形式：以晶體管為例說明一下：晶體管是我們常用的的元件之一，在DEVICE。LIB庫中，簡簡單單的只有NPN與PNP之分，但實際上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO?3，如果它是NPN的2N3054，則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5，而學用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，還有TO-5，TO-46，TO-52等等，千變萬化。 還有一個就是電阻，在DEVICE庫中，它也是簡單地把它們稱為RES1和RES2，不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣，對電路板而言，它與歐姆數根本不相關，完全是按該電阻的功率數來決定的我們選用的1/4W和甚至1/2W的電阻，都可以用AXIAL0.3元件封裝，而功率數大一點的話，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現將常用的元件封裝整理如下： 電阻類及無極性雙端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 無極性電容 RAD0.1-RAD0.4 有極性電容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二極體 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶體振盪器 XTAL1 晶體管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可變電阻（POT1、POT2） VR1-VR5 當然，我們也可以打開C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib庫來查找所用零件的對應封裝。 這些常用的元件封裝，大家最好能把它背下來，這些元件封裝，大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻譯成中文就是軸狀的，0.3則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil（因為在電機領域里，是以英制單位為主的。同樣的，對於無極性的電容，RAD0.1-RAD0.4也是一樣；對有極性的電容如電解電容，其封裝為RB.2/.4，RB.3/.6等，其中「.2」為焊盤間距，「.4」為電容圓筒的外徑。 對於晶體管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶體管，就用TO?3，中功率的晶體管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金屬殼的，就用TO-66，小功率的晶體管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管腳也長，彎一下也可以。 對於常用的集成IC電路，有DIPxx，就是雙列直插的元件封裝，DIP8就是雙排，每排有4個引腳，兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx就是單排的封裝。等等。 值得我們注意的是晶體管與可變電阻，它們的包裝才是最令人頭痛的，同樣的包裝，其管腳可不一定一樣。例如，對於TO-92B之類的包裝，通常是1腳為E（發射極），而2腳有可能是B極（基極），也可能是C（集電極）；同樣的，3腳有可能是C，也有可能是B，具體是那個，只有拿到了元件才能確定。因此，電路軟體不敢硬性定義焊盤名稱（管腳名稱），同樣的，場效應管，MOS管也可以用跟晶體管一樣的封裝，它可以通用於三個引腳的元件。 Q1-B，在PCB里，載入這種網路表的時候，就會找不到節點（對不上）。 在可變電阻上也會出現類似的問題；在原理圖中，可變電阻的管腳分別為1、W、及2，所產生的網路表，就是1、2和W，在PCB電路板中，焊盤就是1，2，3。當電路中有這兩種元 件時，就要修改PCB與SCH之間的差異最快的方法是在產生網路表後，直接在網路表中，將晶 體管管腳改為1，2，3；將可變電阻的改成與電路板元件外形一樣的1，2，3即可。

Ⅳ 求大神詳細講解這種達林頓管電路，每一個元器件的作用，謝謝了

由於大功率三極體的電流放大倍數較小，單管工作時需要較大的驅動電流，採用增加專前級驅動能屬力的方法（如加一級放大電路），還不如採用達林頓管的結構增加放大倍數，而且集成的達林頓管有完善的保護措施，外形和一個功率管相同，設計電路的元件數量減少、尺寸減小，可靠性就提高了。原理見下面的鏈接：
http://wenku..com/link?url=-

Ⅵ 求救大神！用兩個s9014做達林頓管，然後再做升壓電路行嗎可以的話請大神給出元件參數。

為什麼要做成達林頓管，認為放大倍數不夠嗎；
另外，你的升壓電路在哪兒；

Ⅶ TIP122NPN型達林頓管。圖中123分別是什麼極，在電路中怎麼連接這三個極

1為b極，2為c極、3為e極。在單電路中跟三極體一樣接

Ⅷ 用三個8050三極體按達林頓管的接法接，可以放大很多倍，但音質不好，可以怎麼改進啊 帶圖講解

簡單的電路音質好不到哪裡去。

Ⅸ 幫我分析下這個達林頓管原理圖三個電阻分別是起什麼作用他們的值是怎麼確定的,輸出有那幾種狀態

你這個圖應該是抄達林襲頓管的內部原理圖吧。
達林頓管因為直流放大倍數hFE特別高，=hfe1*hfe2，一般為10000倍的級別。不加保護的情況下，很小的輸入電流，就可以使內部晶體管結溫迅速上升，前級晶體管的「漏電流」也會被逐級放大，造成整體熱穩定性變差。圖中7.2K和3K電阻就是為了克服這種不足而設計的，叫做均衡電阻，也就泄放電阻，可以泄放漏電流，大大提高管子的熱穩定性，還能有效地提高末級功率三極體的耐壓。
電阻值的大小要看內部晶體管的參數來設計，具體情況具體分析，在用該達林頓管來設計外圍電路時，還要記得考慮這兩個內部電阻的影響。
前面的2.7K的電阻， 我的觀點是你理解為限流電阻，隔離電阻之類的都沒錯，具體要看你接入的外圍電路。