外延片如何加工成芯片
① 芯片的外延是什么意思，和封装以及衬底有什么区别
半导体发光二极管有外延片、芯片、器件及应用产品，从产业链角度看有衬底制作、外延、芯片、器件封装、应用产品制作，衬底是基底，在衬底生长制作外延片，由外延片经芯片制作工艺产生芯片，再由芯片封装制作成器件，在由器件封装成应用产品。衬底制作和外延制作是产业链最上游，技术含量较高;芯片制作为产业链中游;器件及应用产品制作为产业链下游，技术含量较低。
② 芯片的外延是什么意思，和封装以及衬底有什么区别
半导体发光二极管有外延片、芯片、器件及应用产品，从产业链角度看有衬底制作、外延、芯片、器件封装、应用产品制作，衬底是基底，在衬底生长制作外延片，由外延片经芯片制作工艺产生芯片，再由芯片封装制作成器件，在由器件封装成应用产品。衬底制作和外延制作是产业链最上游，技术含量较高；芯片制作为产业链中游；器件及应用产品制作为产业链下游，技术含量较低。
③ 外延片与芯片区别
外延片与芯片区别为：性质不同、目的不同、用途不同。
一、性质不同内
1、外延片：外延片指的是在容一块加热至适当温度的衬底基片上，所生长出来的特定单晶薄膜。
2、芯片：芯片是一种固态的半导体器件。整个芯片被环氧树脂封装起来。
二、目的不同
1、外延片：外延片的目的是在外延上加上电极，便于对产品进行封存和包装。
2、芯片：芯片的目的是将电能转化成光能，供照明使用。
三、用途不同
1、外延片：外延片是LED芯片的中段制程和后段制程的必需品，没有它就无法做出高亮度的半导体。
2、芯片：芯片是制作LED灯具、LED屏幕、LED背光的主要物料。
④ LED外延片和芯片组装工艺流程
你找不到的，因为全球就没几家会做这个的。哈哈
⑤ LED衬底、外延片、芯片到底怎么区分求祥解
1.衬底是指蓝宝石晶棒或者是硅经过切片，清洗，还没有其他工艺加工的裸片。也叫基片。
2.外延片是指经过MOCVD加工的片子。
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
具体流程是衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片
芯片则是最后的工艺，在外延片上进一步加工的来的。
具体流程是外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
⑥ 抛光、外延片生产流程 回答的好 可以加倍给分
生产工艺流程具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。
清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下：
SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。
DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。
APM清洗： APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。
HPM清洗：由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。
DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。
磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。
腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。
分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。
精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。
检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。
检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。
包装：将单晶硅抛光片进行包装。
⑦ LED外延片与芯片
第一有的厂家外延片和芯片都做，有的厂家只做其中之一。
LED外延片生长的基本原理是：在一块加 LED外延片热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
外延片做好后，中游芯片厂家就会拿来长电极，然后切割，测试
下游封装厂就拿芯片厂做的LED芯片去做封装。
⑧ 外延片以及LED芯片工艺问题
1.外延片指的是在衬底上生长出的半导体薄膜,薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN),衬底材料主要有蓝宝石，硅，碳化硅三种，量子阱一般为5个，通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)。这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入(一台MOCVD一般要好几千万)。
2.外延片的检测一般分为两大类:
一是光学性能检测，主要参数包括工作电压，光强，波长范围，半峰宽，色温，显色指数等等，这些数据可以用积分球测试。
二是可靠性检测，主要参数包括光衰，漏电，反压，抗静电，I-V曲线等等，这些数据一般通过老化进行测试。
3.需要指出的是，并没有白光LED芯片，只有白光LED灯珠/管，即需要进行封装才能获得白光小LED灯，也叫灯珠，管子。
白光LED一般通过两种途径获得：
一是通过配光，将红绿蓝三色芯片进行配比封装获得白光LED.
二是通过荧光粉转换蓝光LED，从而获得白光LED.
本人正从事相关行业，无关技术机密的东西都可以说一下。
⑨ LED外延片和芯片一样吗
外延片和芯片不一样。
外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导版体薄膜，以GaN为例，在蓝权宝石(Al2O3)上生长一层结构复杂的GaN薄膜（包括n-GaN,量子阱,n-GaN等），这层薄膜就叫做外延。
而芯片指的是把外延进行加工，其主要目的是在外延上加上电极，以便与封装和应用。芯片的主要材料为单晶硅不正确，仍为GaN材料。可以说外延是芯片的原材料，芯片就是在外延的基础上增加了电极（有的芯片还做钝化膜，反射镜等等）。